L'HAXPES de laboratoire pour l'étude de multicouches en microélectronique
Résumé
La spectroscopie de photoémission à haute énergie (HAXPES) est en plein développement grâce à l’apparition d’instruments de laboratoire équipés de sources de rayons X durs (h 9.2 keV)1. Cette technique, qui donne accès à la composition chimique d’interfaces et/ou de couches actives enterrées2, s’avère très utile pour l’optimisation des dispositifs développés en microélectronique, où les interfaces jouent un rôle clé.
Nous présentons des développements récents effectués en utilisant un instrument de laboratoire (Quantes, ULVAC-PHI) équipé d’une source Cr K (h=5415 eV) pour permettre une utilisation plus facile de cette technique, notamment à travers l’acquisition de spectres de référence et la measure de facteurs de sensibilité pour des composés élémentaires et binaires3. Nous illustrons les performances de cette technique en termes de quantification via l’étude de couches de SiP à teneur en phosphore variable.
Nous présentons ensuite quelques résultats concernant l’analyse de dispositifs tels que les transistors à haute mobilité électronique (HEMTs). L’HAXPES fournit des informations sur l’oxydation du GaN à l’interface critique Al2O3/GaN4. Cette technique est aussi utilisée pour mettre en évidence l’impact de la gravure du GaN5 et des recuits post-dépôt d’alumine6 sur la qualité de cette interface enterrée. Les résultats sont corrélés aux caractéristiques électriques des dispositifs afin d’optimiser les procédés de fabrication de ces transistors.
Origine | Fichiers produits par l'(les) auteur(s) |
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