Impact of Single Event Gate Rupture and Latent Defects on Power MOSFETs Switching Operation - IRSN - Institut de radioprotection et de sûreté nucléaire
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Nuclear Science Année : 2014

Impact of Single Event Gate Rupture and Latent Defects on Power MOSFETs Switching Operation

N. Chatry
  • Fonction : Auteur
G. Chaumont
  • Fonction : Auteur

Domaines

Electronique
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01635047 , version 1 (14-11-2017)

Identifiants

Citer

A. Privat, Antoine Touboul, Mickael Petit, J.-J. Huselstein, Frédéric Wrobel, et al.. Impact of Single Event Gate Rupture and Latent Defects on Power MOSFETs Switching Operation. IEEE Transactions on Nuclear Science, 2014, 61 (4), pp.1856 - 1864. ⟨10.1109/TNS.2014.2333542⟩. ⟨hal-01635047⟩
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